求人帮忙做一道计算题（信息电子物理基础），救命！

艺术人生

题目是这样的：

; [* S2 Y3 {; _
在T＝300K时，在两块单晶硅A和B中分别均匀掺杂ND＝1*1017cm-3和NA=1*1016cm-3
, C( P; L" C. F6 e1 P) n# z1.
分别指出两种半导体的类型，并求出两种半导体中电子浓度和空穴浓度。
, N5 Y% @: {/ f' v0 O+ y0 f2.
8 j. R* n& M9 j5 `1 D8 z9 @如已知NC＝2.8*1019，NV＝1.04*1019，分别求出两种半导体的费米能级相对导带底或价带顶的位置。
3.
8 x( \' ^) I0 a! `$ O' t; O- L如由这两种半导体形成PN结，求所形成的PN结的接触电位差。
+ {4 T5 Z# T3 j) |: a7 H  j) mNi＝1.5*1010 cm-3 Vt＝KBT/e＝26mv
硅材料 Nc＝2.8*1019
Nv＝1.04*1019
e＝1.6*10－19C
8 D& z) o; e1 W. c" hKB＝1.38*10－23J/K


& d) A* L2 n+ l5 t4 T6 w
% ]* Q* E' L% {  p2 y
好同学帮帮我，我的QQ4600533，手机13282105885，当面酬谢了。

天使3号怪盗

同学,你找对人了

鸭血粉丝汤

同学 您好!我艺术类毕业的!!!